前言
本来想把和IR Drop 相关的封装内容一篇写完，结果发现难度有点大。首先，写一篇很费时间，其次，一篇写完，大部分人也没有耐心读完。那就分开写吧，一篇写一个点（适合快速阅读，也顺便了解一个知识点）。刚入行的小伙伴都经历过这些专业名词，def，spf，sdf等，当时各种傻傻的分不清，应该有些人工作几年也不一定知道这些文件里面的格式和主要内容。本篇和后面几篇将要介绍的是CPA,CPM,CTM，不知道你是否分的清？本篇首先介绍CPA.
CPA（Chip Package Analysis）
如下图所示，CPA model是Pkg Layout（封装基板设计）通过工具提取出来的一个模型，主要包括封装基板中的RLC参数。CPA可以提供每个bump的寄生参数，可以用来做chip+package的协同仿真。
chip+package可以做static分析，仿真可以得到每个pad的电流，可以为pad的过流能力是否超标做参考，这种方式属于直流仿真；当做dynamic仿真时，属于交流仿真。
问题
1.在抽取CPA model时，根据pin group不同，可以分为Lumped Grouping/Group by Each Pin/Group by X-Y Grid三种方式，这三种方式IR结果相差比较大，每个公司根据自己的经验选取方式不统一。Lumped Grouping所有pin一起抽，IR最小；Group by Each Pin 每个pin单独抽，IR最大，但是工具计算量大，run time长；Group by X-Y Grid 介于两者之间。
2.带CPA和不带CPA仿真，结果相差大吗？Static IR相差不大，Dynamic IR相差较大（尤其翻转率高的地方），为啥呢？自己思考下.
3.封装上的走线不均匀，连接弱的地方IR会比较大。另外GUI界面可以看到每个bump的电阻和电感。
讨论
1.你在工作中还遇到过哪些跟CPA相关的IR问题？欢迎一起讨论.
参看文献：
《RedHawk User Manual》
