声明：本人不专门负责封装方面的工作，由于本职工作和封装有点交集，故学习了下，写了几期，分享如下，如有错误之处，还请留言指正。
一.IC封装的定义
封装给管芯（芯片）和印制电路板（PWB）之间提供电互连、机械支撑、机械和环境保护及导热通道。
二.封装的基本功能
1.电互连和线间电隔离：
（1）信号分配；
（2）电源分配。
2.热耗散：使结温处于控制范围之内
3.防护：对器件的芯片和互连进行机械、电磁、化学等方面的防护
三.传统的芯片封装制造工艺
封装工艺主要完成了如下过程，从In到Out，如下图所示。
1.减薄（Back Grind）
使用研磨的方法，达到减薄的目的。第一步为粗磨，目的为减薄芯片厚度到目标值（一般研磨后的厚度为250-300um）；第二步为细磨，目的为消减芯片粗磨中生成的应力破坏层（一般厚度为1-2um）。
2.贴膜（Wafer Mount）
减薄之后，要在芯片背面贴上配合划片使用的蓝膜，才可开始划片（划片过程中，蓝膜不会划开，后面分享的视频会有过程）。
3.划片（Wafer Saw）
目的：用切割刀将晶圆上的芯片切割分离成单个晶粒（Die）。
芯片依照单颗大小、需要种类等，要在蓝膜上切割成颗粒状，以便于单个取出分开。
4.贴片（Die Attach）
将芯片颗粒由划片后的蓝膜上分别取下，用胶水与支架贴合在一起，以便于下一个打线键合工艺。
5.银胶烘培（Epoxy Curing）
贴片工艺后需要用高温将银胶烤干固化，温度为175℃，时间为1小时。
6.打线键合（Wire Bond）
将芯片颗粒的金属焊接垫（bond pad）与支架，用金属引线焊接联通在一起。
7.塑封成型（Mold）
将引线键合完成的支架放入塑封模中，用塑封料把芯片、金属引线及支架包裹保护起来，同时达到塑封料外观成型的目标。
8.塑封后烘培（Post Mold Curing）
塑封料的转换固化在模具中完成80%，然后到塑封后烘培工艺中完成剩余的20%固化工作。
9.除渣及电镀（Deflash and Plating）
将塑封成型后的残渣除去后，将引线支架电镀上一层锡，将来可使用表面贴芯片的技术制作电路系统。
10.电镀后烘培（Post Plating Baking）
这一步的目的是减少及延缓锡胡须的产生，因为锡胡须会造成芯片封装后成品的引脚短路，使电路系统无法正常工作。
11.切筋整脚成型（Trim/From）
塑封完成后，要对整个支架做切筋及整脚成型的动作，使单个IC从整条支架上一个一个完整分离出来，如此整个外观才算完成。
完成封装后的样子大概是下图这样。
封装工艺视频
优酷上搜索“芯片封装制造全过程”（由于格式问题未能上传成功）
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